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什么是內(nèi)存雙通道內(nèi)存雙通道的工作原理

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什么是內(nèi)存雙通道內(nèi)存雙通道的工作原理

  雙通道是在北橋芯片級里設(shè)計(jì)兩個(gè)內(nèi)存控制器,這兩個(gè)內(nèi)存控制器可相互獨(dú)立工作,每個(gè)控制器控制一個(gè)內(nèi)存通道。那么你對內(nèi)存雙通道了解多少呢?以下是由學(xué)習(xí)啦小編整理關(guān)于什么是內(nèi)存雙通道的內(nèi)容,希望大家喜歡!

  內(nèi)存雙通道的工作原理

  雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù),它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用,在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長一倍。它并不是什么新技術(shù),早就被應(yīng)用于服務(wù)器和工作站系統(tǒng)中了,只是為了解決臺式機(jī)日益窘迫的內(nèi)存帶寬瓶頸問題它才走到了臺式機(jī)主板技術(shù)的前臺。在幾年前,英特爾公司曾經(jīng)推出了支持雙通道內(nèi)存?zhèn)鬏敿夹g(shù)的i820芯片組,它與RDRAM內(nèi)存構(gòu)成了一對黃金搭檔,所發(fā)揮出來的卓絕性能使其一時(shí)成為市場的最大亮點(diǎn),但生產(chǎn)成本過高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況,最后被市場所淘汰。由于英特爾已經(jīng)放棄了對RDRAM的支持,所以目前主流芯片組的雙通道內(nèi)存技術(shù)均是指雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)

  內(nèi)存雙通道的技術(shù)

  雙通道內(nèi)存技術(shù)是解決CPU總線帶寬與內(nèi)存帶寬的矛盾的低價(jià)、高性能的方案。現(xiàn)在CPU的FSB(前端總線頻率)越來越高,英特爾 Pentium 4比AMD Athlon XP對內(nèi)存帶寬具有高得多的需求。英特爾 Pentium 4處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸采用QDR(Quad Data Rate,四次數(shù)據(jù)傳輸)技術(shù),其FSB是外頻的4倍。英特爾 Pentium 4的FSB分別是400、533、800MHz,總線帶寬分別是3.2GB/sec,4.2GB/sec和6.4GB/sec,而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是2.1GB/sec,2.7GB/sec和3.2GB/sec。在單通道內(nèi)存模式下,DDR內(nèi)存無法提供CPU所需要的數(shù)據(jù)帶寬從而成為系統(tǒng)的性能瓶頸。而在雙通道內(nèi)存模式下,雙通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是4.2GB/sec,5.4GB/sec和6.4GB/sec,在這里可以看到,雙通道DDR 400內(nèi)存剛好可以滿足800MHz FSB Pentium 4處理器的帶寬需求。而對AMD Athlon XP平臺而言,其處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)采用DDR(Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)傳輸)技術(shù),F(xiàn)SB是外頻的2倍,其對內(nèi)存帶寬的需求遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于英特爾 Pentium 4平臺,其FSB分別為266、333、400MHz,總線帶寬分別是2.1GB/sec,2.7GB/sec和3.2GB/sec,使用單通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能滿足其帶寬需求,所以在AMD K7平臺上使用雙通道DDR內(nèi)存技術(shù),可說是收效不多,性能提高并不如英特爾平臺那樣明顯,對性能影響最明顯的還是采用集成顯示芯片的整合型主板。

  內(nèi)存雙通道的擴(kuò)展

  NVIDIA推出的nForce芯片組是第一個(gè)把DDR內(nèi)存接口擴(kuò)展為128-bit的芯片組,隨后英特爾在它的E7500服務(wù)器主板芯片組上也使用了這種雙通道DDR內(nèi)存技術(shù),SiS和VIA也紛紛響應(yīng),積極研發(fā)這項(xiàng)可使DDR內(nèi)存帶寬成倍增長的技術(shù)。但是,由于種種原因,要實(shí)現(xiàn)這種雙通道DDR(128 bit的并行內(nèi)存接口)傳輸對于眾多芯片組廠商來說絕非易事。DDR SDRAM內(nèi)存和RDRAM內(nèi)存完全不同,后者有著高延時(shí)的特性并且為串行傳輸方式,這些特性決定了設(shè)計(jì)一款支持雙通道RDRAM內(nèi)存芯片組的難度和成本都不算太高。但DDR SDRAM內(nèi)存卻有著自身局限性,它本身是低延時(shí)特性的,采用的是并行傳輸模式,還有最重要的一點(diǎn):當(dāng)DDR SDRAM工作頻率高于400MHz時(shí),其信號波形往往會出現(xiàn)失真問題,這些都為設(shè)計(jì)一款支持雙通道DDR內(nèi)存系統(tǒng)的芯片組帶來不小的難度,芯片組的制造成本也會相應(yīng)地提高,這些因素都制約著這項(xiàng)內(nèi)存控制技術(shù)的發(fā)展。

  內(nèi)存雙通道的控制

  普通的單通道內(nèi)存系統(tǒng)具有一個(gè)64位的內(nèi)存控制器,而雙通道內(nèi)存系統(tǒng)則有2個(gè)64位的內(nèi)存控制器,在雙通道模式下具有128bit的內(nèi)存位寬,從而在理論上把內(nèi)存帶寬提高一倍。雖然雙64位內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個(gè)128位內(nèi)存體系所提供的帶寬,但是二者所達(dá)到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個(gè)獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器,理論上來說,兩個(gè)內(nèi)存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時(shí)運(yùn)作。比如說兩個(gè)內(nèi)存控制器,一個(gè)為A、另一個(gè)為B。當(dāng)控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存的時(shí)候,控制器A就在讀/寫主內(nèi)存,反之亦然。兩個(gè)內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可以讓等待時(shí)間縮減50%。雙通道DDR的兩個(gè)內(nèi)存控制器在功能上是完全一樣的,并且兩個(gè)控制器的時(shí)序參數(shù)都是可以單獨(dú)編程設(shè)定的。這樣的靈活性可以讓用戶使用二條不同構(gòu)造、容量、速度的DIMM內(nèi)存條,此時(shí)雙通道DDR簡單地調(diào)整到最低的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來實(shí)現(xiàn)128bit帶寬,允許不同密度/等待時(shí)間特性的DIMM內(nèi)存條可以可靠地共同運(yùn)作。

  內(nèi)存雙通道的安裝要求

  內(nèi)存雙通道一般要求按主板上內(nèi)存插槽的顏色成對使用,此外有些主板還要在BIOS做一下設(shè)置,一般主板說明書會有說明。當(dāng)系統(tǒng)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)雙通道后,有些主板在開機(jī)自檢時(shí)會有提示,可以仔細(xì)看看。由于自檢速度比較快,所以可能看不到。因此可以用一些軟件查看,很多軟件都可以檢查,比如cpu-z,比較小巧。在“memory”這一項(xiàng)中有“channels”項(xiàng)目,如果這里顯示“Dual”這樣的字,就表示已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了雙通道。兩條256M的內(nèi)存構(gòu)成雙通道效果會比一條512M的內(nèi)存效果好,因?yàn)橐粭l內(nèi)存無法構(gòu)成雙通道。

  過去內(nèi)存模塊在頻寬與數(shù)據(jù)傳輸速度方面的進(jìn)展,始終與中央處理器保持一定程度的落差,而隨著中央處理器的運(yùn)算速度越來越快,在理想的狀況下必須同時(shí)提升前端總線(Front Side Bus) 以及內(nèi)存總線 (Memory Bus) 的速度,以便讓計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能夠表現(xiàn)出原先預(yù)期的效能,然而以單信道的內(nèi)存速度以及總線的傳輸頻寬,仍是無法應(yīng)付中央處理器及前端總線的需求。

  隨著Intel將前端總線外頻提升至800MHz ,中央處理器與北橋芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸頻寬將提升至6.4GB/s,而此一頻寬不論是使用DDR266或是DDR333的內(nèi)存模塊,都不足以應(yīng)付,必須同時(shí)搭配雙通道 (Dual Channel)的DDR400內(nèi)存規(guī)格才能達(dá)到6.4GB/s,以符合FSB800對頻寬的需求。

  規(guī)則:

  要實(shí)現(xiàn)雙通道模式, 必須滿足以下條件:

  在每個(gè)通道 DIMM 配置匹配

  匹配在對稱內(nèi)存插槽

  如果配置不滿足上述條件恢復(fù)為單通道模式。 以下情況不需要滿足:

  品牌相同

  計(jì)時(shí)規(guī)格相同

  相同的速度 (MHz)

  DIMM 模塊中組裝的速度最慢系統(tǒng)決定內(nèi)存通道速度。
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