內(nèi)存條常識

一、看懂內(nèi)存條
我們平常所說的“內(nèi)存”大都是指“內(nèi)存條”。那么什么是“內(nèi)存條”呢？常見的“內(nèi)存條”又有哪些類型呢？
1．內(nèi)存條的誕生
當(dāng)CPU在工作時，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠(yuǎn)”，運輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導(dǎo)致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣！為了解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個“小倉庫”—內(nèi)存。
內(nèi)存雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百MB，但中轉(zhuǎn)速度非?？欤绱艘粊?，當(dāng)CPU需要數(shù)據(jù)時，事先可以將部分?jǐn)?shù)據(jù)存放在內(nèi)存中，以解CPU的燃眉之急。由于內(nèi)存只是一個“中轉(zhuǎn)倉庫”，因此它并不能用來長時間存儲數(shù)據(jù)。
2．常見的內(nèi)存條
目前PC中所用的內(nèi)存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三種類型。
曾經(jīng)主流—SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）即“同步動態(tài)隨機存儲器”。SDRAM內(nèi)存條的兩面都有金手指，是直接插在內(nèi)存條插槽中的，因此這種結(jié)構(gòu)也叫“雙列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內(nèi)存條都采用這種“DIMM”結(jié)構(gòu)。
隨著處理器前端總線的不斷提高，SDRAM已經(jīng)無法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場。
今日主流—DDR SDRAM
DDR SDRAM（簡稱DDR）是采用了DDR（Double Data Rate SDRAM，雙倍數(shù)據(jù)速度）技術(shù)的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時鐘周期內(nèi)，DDR SDRAM能傳輸兩次數(shù)據(jù)，而SDRAM只能傳輸一次數(shù)據(jù)。
從外形上看DDR內(nèi)存條與SDRAM相比差別并不大，它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR內(nèi)存條有184個引腳，金手指中也只有一個缺口，而SDRAM內(nèi)存條是168個引腳，并且有兩個缺口。
根據(jù)DDR內(nèi)存條的工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統(tǒng)總線頻率 同步的，不過因為雙倍數(shù)據(jù)傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當(dāng)于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266來表示。
小提示：工作頻率表示內(nèi)存所能穩(wěn)定運行的最大頻率，例如PC133標(biāo)準(zhǔn)的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對于內(nèi)存而言，頻率越高，其帶寬越大。
除了用工作頻率來標(biāo)示DDR內(nèi)存條之外，有時也用帶寬值來標(biāo)示，例如DDR 266的內(nèi)存帶寬為2100MB/ｓ，所以又用PC2100來標(biāo)示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：內(nèi)存帶寬也叫“數(shù)據(jù)傳輸率”，是指單位時間內(nèi)通過內(nèi)存的數(shù)據(jù)量，通常以GB/ｓ表示。我們用一個簡短的公式來說明內(nèi)存帶寬的計算方法：內(nèi)存帶寬＝工作頻率×位寬/8×ｎ（時鐘脈沖上下沿傳輸系數(shù)，DDR的系數(shù)為2）。
由于DDR內(nèi)存條價格低廉，性能出色，因此成為今日主流的內(nèi)存產(chǎn)品。
過時的貴族—RDRAM
RDRAM（存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器）是Rambus公司開發(fā)的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時鐘頻率要高得多。
從外觀上來看，RDRAM內(nèi)存條與SDRAM、DDR SDRAM內(nèi)存條有點相似。
從技術(shù)上來看，RDRAM是一種比較先進(jìn)的內(nèi)存，但由于價格高，在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經(jīng)退出了普通臺式機市場。
3．內(nèi)存的封裝
目前內(nèi)存的封裝方式主要有TSOP、BGA、CSP等三種，封裝方式也影響著內(nèi)存條的性能優(yōu)劣。
TSOP封裝：TOSP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝）的一個典型特點就是在封裝芯片的周圍做出很多引腳。TSOP封裝操作方便，可靠性比較高，是目前的主流封裝方式。
BGA封裝：BGA叫做“球柵陣列封裝”，其最大的特點就是芯片的引腳數(shù)目增多了，組裝成品率提高了。采用BGA封裝可以使內(nèi)存在體積不變的情況下將內(nèi)存容量提高兩到三倍，與TSOP相比，它具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
CSP封裝：CSP（Chip Scale Package，芯片級封裝）作為新一代封裝方式，其性能又有了很大的提高。ＣＳＰ封裝不但體積小，同時也更薄，更能提高內(nèi)存芯片長時間運行的可靠性，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。目前該封裝方式主要用于高頻DDR內(nèi)存。
二、內(nèi)存強檔
要進(jìn)一步了解內(nèi)存，以下的內(nèi)容一定不能錯過。其中內(nèi)存的時鐘周期、存取時間和CAS延遲時間是衡量內(nèi)存性能比較直接的重要參數(shù)，它們都可以在主板BIOS中設(shè)置，這個問題將在以后介紹BIOS的時候詳細(xì)闡述。
1．時鐘周期（TCK）
TCK 是“Clock Cycle Time”的縮寫，即內(nèi)存時鐘周期。它代表了內(nèi)存可以運行的最大工作頻率，數(shù)字越小說明內(nèi)存所能運行的頻率就越高。時鐘周期與內(nèi)存的工作頻率是成倒數(shù)的， 即TCK＝1/F。比如一塊標(biāo)有“－10”字樣的內(nèi)存芯片，“－10”表示它的運行時鐘周期為10ns，即可以在100MHz的頻率下正常工作。
2．存取時間（TAC）
TAC（Access Time From CLK）表示“存取時間”。與時鐘周期不同，TAC僅僅代表訪問數(shù)據(jù)所需要的時間。如一塊標(biāo)有“－7J”字樣的內(nèi)存芯片說明該內(nèi)存條的存取時間是7ns。 存取時間越短，則該內(nèi)存條的性能越好，比如說兩根內(nèi)存條都工作在133MHz下，其中一根的存取時間為6ns，另外一根是7ns，則前者的速度要好于后 者。
3．CAS延遲時間（CL）
CL（CAS Latency）是內(nèi)存性能的一個重要指標(biāo)，它是內(nèi)存縱向地址脈沖的反應(yīng)時間。當(dāng)電腦需要向內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)時，在實際讀取之前一般都有一個“緩沖期”，而 “緩沖期”的時間長度，就是這個CL了。內(nèi)存的CL值越低越好，因此，縮短CAS的周期有助于加快內(nèi)存在同一頻率下的工作速度。
4．奇偶校驗（ECC）
內(nèi)存是一種數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)“倉庫”，而在頻繁的中轉(zhuǎn)過程中，一旦搞錯了數(shù)據(jù)怎么辦？而ECC就是一種數(shù)據(jù)檢驗機制。ECC不僅能夠判斷數(shù)據(jù)的正確性，還能糾正大多數(shù)錯誤。普通PC中一般不用這種內(nèi)存，它們一般應(yīng)用在高端的服務(wù)器電腦中。
目前市場上主流的內(nèi)存有SDRAM和DDR SDRAM，內(nèi)存條品牌主要有金士頓、三星、宇瞻、富豪、現(xiàn)代等等。