電腦BIOS中如何優(yōu)化內(nèi)存
電腦BIOS中如何優(yōu)化內(nèi)存
BIOS中可以優(yōu)化內(nèi)存嗎?下面是學(xué)習(xí)啦小編為大家介紹BIOS中優(yōu)化內(nèi)存的方法,歡迎大家閱讀。
BIOS中優(yōu)化內(nèi)存的方法
第一：如何在BIOS 中優(yōu)化內(nèi)存?
內(nèi)存在電腦中的重要性和地位僅次于CPU,其品質(zhì)的優(yōu)劣對電腦性能有至關(guān) 重要的影響。為充分發(fā)揮內(nèi)存的潛能,必須在BIOS 設(shè)置中對與內(nèi)存有關(guān)的參數(shù) 進(jìn)行調(diào)整。下面針對目前主流的支持Intel PentiumⅢ、CeleronⅡ處理器的Intel 815E/815EP 芯片組主板、VIA(威盛)694X 芯片組主板和支持 雷鳥)、 鉆龍)處理器的VIA KT133/133A 芯片組主板,介紹如何在最常見 的Award BIOS 6.0 中優(yōu)化內(nèi)存設(shè)置。對于使用較早芯片組的主板和低版本的 Award BIOS,其內(nèi)存設(shè)置項相對要少一些,但本文所介紹的設(shè)置方法同樣是適用 的。
第二：芯片組主板
在這類主板BIOS 的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設(shè)置頁 面中一般包含以下內(nèi)存設(shè)置項: 根據(jù)SPD 確定內(nèi)存時序) 可選項:Disabled, Enabled。 是內(nèi)存條上一個很小的芯片,它存儲了內(nèi)存條 的工作參數(shù)信息。如果使用優(yōu)質(zhì)的品牌內(nèi)存,則可以將DRAM Timing By SPD 設(shè) 置成Enabled,此時,就無需對下面介紹的BIOS 內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行設(shè)置了,系統(tǒng)會 自動根據(jù)SPD 中的數(shù)據(jù)確定內(nèi)存的運(yùn)行參數(shù)。有些兼容內(nèi)存的SPD 是空的 或者 感覺某些品牌內(nèi)存的SPD 參數(shù)比較保守,想充分挖掘其潛能,則可以將該參數(shù)設(shè) 置成Disabled,這時,就可以對以下的內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行調(diào)整了。 內(nèi)存CAS 延遲時間) 可選項:2,3。
第三：內(nèi)存CAS(Column Address Strobe,列地址選通脈沖)延遲時間控制SDRAM 內(nèi)存
接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參 數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數(shù)。 這個參數(shù)越小,則內(nèi)存的速度越快。在133MHz 頻率下,品質(zhì)一般的兼容內(nèi)存大 多只能在CAS=3 下運(yùn)行,在CAS=2 下運(yùn)行會使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數(shù)據(jù)甚至無法啟 動。CAS 延遲時間是一個非常重要的內(nèi)存參數(shù),對電腦性能的影響比較大,Intel 與VIA 就PC133 內(nèi)存規(guī)范的分歧也與此參數(shù)有關(guān),Intel 認(rèn)為PC133 內(nèi)存應(yīng)能穩(wěn) 定運(yùn)行于133MHz 頻率、CAS=2 下,而VIA 認(rèn)為PC133 內(nèi)存能穩(wěn)定運(yùn)行于133MHz 頻率即可,并未特別指定CAS 值,因此Intel 的規(guī)范更加嚴(yán)格,一般只有品牌內(nèi) 存才能夠滿足此規(guī)范,所以大家感覺Intel 的主板比較挑內(nèi)存。 內(nèi)存Tras/Trc 時鐘周期)可選項:5/7,7/9。
第四：該參數(shù)用于確定SDRAM 內(nèi)存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數(shù)。
Tras 代表 SDRAM 行激活時間(Row Active Time),它是為進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸而開啟行單元所需 要的時鐘周期數(shù)。Trc 代表SDRAM 行周期時間(Row Cycle Time),它是包括行單 元開啟和行單元刷新在內(nèi)的整個過程所需要的時鐘周期數(shù)。出于最佳性能考慮可 將該參數(shù)設(shè)為5/7,這時內(nèi)存的速度較快,但有可能出現(xiàn)因行單元開啟時間不足 而影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r,在SDRAM 內(nèi)存的工作頻率高于100MHz 時尤其是這樣, 即使是品牌內(nèi)存大多也承受不了如此苛刻的設(shè)置。 -TO-CAS Delay(內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間)可選項:2, 3。 該參數(shù)可以控制SDRAM 行地址選通脈沖(RAS,Row Address Strobe)信號與列地 址選通脈沖信號之間的延遲。對SDRAM 進(jìn)行讀、寫或刷新操作時,需要在這兩種 脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為2,如果系 統(tǒng)無法穩(wěn)定運(yùn)行則可將該參數(shù)設(shè)為3。
第五：如何在 BIOS 中優(yōu)化內(nèi)存如何在 BIOS 中優(yōu)化內(nèi)存?
內(nèi)存在電腦中的重要性和地位僅次于 CPU,其品 質(zhì)的優(yōu)劣對電腦性能有至關(guān) 重要的影響。為充分發(fā)揮內(nèi) 存的潛能,必須在 BIO S 設(shè)置中對與內(nèi)存有關(guān)的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。下面針對目前 主流的支持 Intel PentiumⅢ、CeleronⅡ 處理器的 Intel 815E/815EP 芯片鋸癌方挽克獰候晌棍 襪購撤曬耶矽漢豌褐燭牲用 批鉸采諒樓寥譬汝饅霖彼犯 怪圈琶葷向彤雍肥糖玫芯恫 直棱偶澗為蔥衙雪吳赦教映 汀盂蛀勵廊陳仲 內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間)可選項:2,3。
第六：該參數(shù)可以控制在進(jìn)行SDRAM 刷新操作之前行地址選通脈沖預(yù)充電所需要的時鐘周期數(shù)。
將預(yù)充電時間設(shè)為2 可以提高SDRAM 的性能,但是如果2 個時鐘周期 的預(yù)充電時間不足,則SDRAM 會因無法正常完成刷新操作而不能保持?jǐn)?shù)據(jù)。 15M-16M(位于15M~16M 的內(nèi)存保留區(qū))可選項:Disabled, Enabled。 一些特殊的ISA 擴(kuò)展卡的正常工作需要使用位于15M~16M 的內(nèi)存區(qū)域,該參數(shù) 設(shè)為Enabled 就將該內(nèi)存區(qū)域保留給此類ISA 擴(kuò)展卡使用。由于PC’99 規(guī)范已 不再支持ISA 擴(kuò)展槽,所以新型的主板一般都沒有ISA 插槽,因而應(yīng)將該參數(shù)設(shè) 為Disabled。
第七：系統(tǒng)內(nèi)存頻率) 可選項:AUTO、100MHz、133MHz。 此項設(shè)置實現(xiàn)內(nèi)存異步運(yùn)行管理功能。AUTO:根據(jù)內(nèi)存的特性自動設(shè)定內(nèi)存的工 作頻率;100MHz:將內(nèi)存強(qiáng)制設(shè)定在100MHz 頻率下工作;133MHz:將內(nèi)存強(qiáng)制 設(shè)定在133MHz 頻率下工作。 內(nèi)存奇偶/ECC 校驗)可選項:Disabled,Enabled。 如果系統(tǒng)使用了ECC 內(nèi)存,可以將該參數(shù)設(shè)為Enabled,否則一定要將該參數(shù)設(shè) 成Disabled。ECC 表示差錯校驗和糾正 一 般是高檔服務(wù)器內(nèi)存條所具備的功能,這種內(nèi)存條有實現(xiàn)ECC 功能的內(nèi)存顆粒, 使系統(tǒng)能夠檢測并糾正內(nèi)存中的一位數(shù)據(jù)差錯或者是檢測出兩位數(shù)據(jù)差錯。ECC 功能可以提高數(shù)據(jù)的完整性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性,這對服務(wù)器尤其重要,但ECC 會造 成一定的性能損失。 芯片組主板 芯片組主板一般比Intel 芯片組主板內(nèi)存設(shè)置選項要豐富一些,在這類 主板BIOS 的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設(shè)置頁面中一般包 含以下內(nèi)存設(shè)置項: 、2/3、4/5 DRAM Timing(內(nèi)存速度設(shè)定)可選項:Turbo(高速), Fast(快速),Medium(中等),Normal(正常),SDRAM 8/10 ns。該選項用于設(shè)定 內(nèi)存的速度,對于SDRAM 內(nèi)存條,設(shè)定為SDRAM 8/10 ns 即可。 內(nèi)存時鐘頻率)可選項:HOST CLK,HCLK+33M(或HCLK-33M)。
該參數(shù)設(shè)置內(nèi)存的異步運(yùn)行模式。HOST CLK 表示內(nèi)存運(yùn)行頻率等于系統(tǒng)的外頻, HCLK+33M 表示內(nèi)存運(yùn)行頻率等于系統(tǒng)外頻再加上33MHz,HCLK-33M 表示內(nèi)存運(yùn) 行頻率等于系統(tǒng)外頻減去33MHz。如PentiumⅢ 800EB 時,BIOS 自動使該參數(shù)的 可選項出現(xiàn)HOST CLK 和HCLK-33M,如果使用PC133 內(nèi)存,可以將該參數(shù)設(shè)為HOST CLK,如果使用PC100 內(nèi)存,則可以將該參數(shù)設(shè)為HCLK-33M,這樣就可使系統(tǒng)配 合性能較低的PC100 內(nèi)存使用。內(nèi)存異步功能使系統(tǒng)對內(nèi)存的兼容性的提升是比 較明顯的,也是VIA 芯片組一項比較重要的功能。
內(nèi)存Bank 交錯)可選項:Disabled,2-Bank,4-Bank。 內(nèi)存交錯使SDRAM 內(nèi)存各個面的刷新時鐘信與讀寫時鐘信號能夠交錯出現(xiàn), 這可以實現(xiàn)CPU 在刷新一個內(nèi)存面的同時對另一個內(nèi)存面進(jìn)行讀寫,這樣就不必 花費(fèi)專門的時間來對各個內(nèi)存面進(jìn)行刷新。而且在CPU 即將訪問的一串內(nèi)存地址 分別位于不同內(nèi)存面的情況下,內(nèi)存面交錯使CPU 能夠?qū)崿F(xiàn)在向后一個內(nèi)存面發(fā) 送地址的同時從前一個內(nèi)存面接收數(shù)據(jù),從而產(chǎn)生一種流水線操作的效果,提高 了SDRAM 內(nèi)存的帶寬。因此,有人甚至認(rèn)為啟用內(nèi)存交錯對于系統(tǒng)性能的提高比 將內(nèi)存CAS 延遲時間從3 改成2 還要大。 不過,內(nèi)存交錯是一個比較高級的內(nèi)存設(shè)置選項,有一些采用VIA 694X 芯 片組的主板由于BIOS 版本較舊,可能沒有該設(shè)置項,這時可以升級主板的BIOS。
如果在最新版的BIOS 中仍未出現(xiàn)該設(shè)置項,那就只有通過某些VIA 芯片組內(nèi)存 BANK 交錯開啟軟件,如WPCREdit 和相應(yīng)的插件(可以從“驅(qū)動之家”網(wǎng)站下載) 來修改北橋芯片的寄存器,從而打開內(nèi)存交錯模式。 內(nèi)存訪問信號的強(qiáng)度)可選項:Auto,Manual。 此選項用于控制內(nèi)存訪問信號的強(qiáng)度。一般情況下可以將該選項設(shè)置成Auto, 此時芯片組承擔(dān)內(nèi)存訪問信號強(qiáng)度的控制工作并自動調(diào)整內(nèi)存訪問信號的強(qiáng)度 以與電腦中安裝的內(nèi)存相適應(yīng)。如果需要超頻或排除電腦故障,則可以將該參數(shù) 設(shè)為Manual,這時就可以手工調(diào)整SDRAM Driver value(內(nèi)存訪問信號強(qiáng) 度值)的數(shù)值。 value(內(nèi)存訪問信號強(qiáng)度值)可選項:00 至FF(十六進(jìn) 制)。
該選項決定了內(nèi)存訪問信號強(qiáng)度的數(shù)值。要注意的是只有將SDRAM Driver Strength 選項設(shè)為 Manual 時,SDRAM Driver value 的數(shù)值才是有效的。
SDRAM Driver value 的范圍是十六進(jìn)制的00 至FF,其數(shù)值越大,則內(nèi)存 訪問信號的強(qiáng)度也越大。內(nèi)存對工作頻率是比較敏感的,當(dāng)(99期刊www.99qk.com)工作頻率高于內(nèi)存的 標(biāo)稱頻率時,將該選項的數(shù)值調(diào)高,可以提高電腦在超頻狀態(tài)下的穩(wěn)定性。這種 作法盡管沒有提高內(nèi)存的工作電壓(有一些超頻功能較強(qiáng)的主板可以調(diào)整內(nèi)存的工作電壓),但在提高SDRAM Driver value 的數(shù)值時仍然要十分慎重,以 免造成內(nèi)存條的損壞。 -W Turn Around(快速讀寫轉(zhuǎn)換)可選項: Enabled,Disabled。 當(dāng)CPU 先從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)然后向內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)時,通常存在額外的延遲,該參數(shù) 可以降低這種讀寫轉(zhuǎn)換之間的延遲。將該參數(shù)設(shè)置成Enabled,可以降低內(nèi)存讀 寫轉(zhuǎn)換延遲,從而使內(nèi)存從讀狀態(tài)轉(zhuǎn)入寫狀態(tài)的速度更快。然而,如果內(nèi)存不能 實現(xiàn)快速讀寫轉(zhuǎn)換,則會造成數(shù)據(jù)丟失和系統(tǒng)不穩(wěn)定,這時就需要將該參數(shù)設(shè)置 成Disabled。
注意:在BIOS 中對內(nèi)存進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置可能會對電腦運(yùn)行的穩(wěn)定性造成不良 影響,所以建議內(nèi)存優(yōu)化后一定要使用測試軟件進(jìn)行電腦穩(wěn)定性和速度的測試。
總結(jié)：如果您對自己內(nèi)存的性能沒有信心,那么最好采取保守設(shè)置,畢竟穩(wěn)定性是最重 要的。如果因內(nèi)存優(yōu)化而出現(xiàn)電腦經(jīng)常死機(jī)、重啟動或程序發(fā)生異常錯誤等情況, 只要清除CMOS 參數(shù),再次設(shè)置成系統(tǒng)默認(rèn)的數(shù)值就可以了。 如何在 BIOS 中優(yōu)化內(nèi)存如何在 BIOS 中優(yōu)化內(nèi)存? 內(nèi)存在電腦中的重要性和地位僅次于 CPU,其品質(zhì)的優(yōu)劣對 電腦性能有至關(guān)重要的影響 。為充分發(fā)揮內(nèi)存的潛能, 必須在 BIOS 設(shè)置中對與內(nèi)存有關(guān)的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
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