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怎么看三星內(nèi)存條真假

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  看三星內(nèi)存條真假方法

  要想學(xué)會識別內(nèi)存真假,首先要學(xué)會認識產(chǎn)品標簽。

  M379B5273DHO-YKO

  M:M=memory

  3:3=DIMM 臺式機內(nèi)存

  79:臺式機黑條

  B:B=DDR3

  52=DEPTH 2Gb7=8bank 1.5V3=8 bitD=30nm制程H=FBGA封裝無鉛無汞0=PCB版本 0為初版

  Y=1.35V低電壓,K0=DDR3-1600

  這個筆記本內(nèi)存條竟然翻譯出臺式內(nèi)存黑條是不是很搞笑。

  這個是從三星下載的表格,紅色框中表示與你這個編號最為相近的顆粒,同樣表明該型號內(nèi)存需要16顆256m的顆粒才能組成單根4G的內(nèi)存條。這個內(nèi)存與貼紙的型號是不符的,所以是假貨

  那是不是8顆粒的4GB內(nèi)存都是假貨呢?不是的,其實8顆粒的4G內(nèi)存條是可以做出來的。這個才是真正的8顆粒的4G內(nèi)存,規(guī)格是1333,型號為M471B5273DM0-CH9跟前面的標號相比,首先是YK0和CH9的差別,這個沒關(guān)系,前者是1600,后者是1333,前者是1.35V,后者是1.5V,對于說明是8顆粒還是16顆粒毫無幫助。而對比前面一堆數(shù)字,發(fā)現(xiàn),幾乎基本一樣,唯一的差別就是倒數(shù)第二個數(shù)字,前者是H,而這條真的是M參考上面DATASHEET中的解釋,M和H的區(qū)別就是M引入了一個DDP的概念這個DDP是Dual Die Package的縮寫,簡單理解就是雙核心封裝,其實就是雙核。

  而這個雙核應(yīng)該是基于DIE的真雙核,而不是基于chip的膠水雙核。所以使用了DDP技術(shù)的顆粒應(yīng)該在長寬尺寸不變的情況下,在芯片的厚度上有所增加,但是是基于die的堆疊,因此厚度也不會超過太多。所以其實,這1顆儲存芯片,實際上采用的是256MB(2Gb)*2的技術(shù)。因此單顆512MB*8=4GB完美對應(yīng)。OK,這條才是真的8顆粒4G,關(guān)鍵在于那個M,本人總結(jié):M471B5273DM0-CH9,規(guī)格是1333的8顆粒的4G內(nèi)存倒數(shù)第二個數(shù)字一定是M,不是的話,就是假的,如果是1600的規(guī)格的話除外,比如原裝內(nèi)存編號為M471B5273DH0-CK0(KO:DDR3 1600)

  真正的8顆粒4G1333的顆粒編號為K4B4G0846D,這是一種采用DDP技術(shù)的單顆4Gb D型核心的顆粒,單顆規(guī)格為512M*8其實理解成(256M*8)*2更合適。

  下面看下上傳的水貨條的顆粒??梢哉f,這個顆粒跟我常見的三星內(nèi)存顆粒完全不同,常見怎么樣的,見右邊的原裝內(nèi)存。這條假的顆粒為K4B4G0846E和正常的顆粒的差別在于最后一個E,這個E是代表一種Die的封裝形式。不過從編號上看是沒有問題的。哦,還有個MCK0.好吧,M代表的是DDP,CK0可以理解成1600.從顆粒來看,這個條子似乎也滿足4G的容量。但是三星顆粒下面是不會有256M*8DDR3 K的字樣不過我沒有測試到這種假的條子,所以256M*8DDR3 到底是按單顆256MB*8顆粒=2GB,還是還要算上DDP的2倍系數(shù)就不得而知了。

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