薄膜物理與技術論文

　　隨著微電子器件及制造技術的快速發(fā)展,薄膜物理與相關制備技術逐漸成為現(xiàn)代理工科大學生必須掌握的一門重要知識.這是學習啦小編為大家整理的薄膜物理與技術論文，僅供參考!

　　薄膜物理與技術論文篇一

　　無機電致發(fā)光薄膜最新研究進展

　　1、介紹背景

　　隨著信息技術的不但發(fā)展，人們對顯示終端的要求也越來越高，怎樣制備高水平的顯示終端已成為現(xiàn)在社會的技術項目。薄膜電致發(fā)光(TFEL)器件以其主動發(fā)光、視角大、平板化、全固化、響應速度快、環(huán)境適應性強、壽命長等優(yōu)點正好滿足了人們的這種需求 ,倍受人們關注 ,得以迅速發(fā)展，而無機電致發(fā)光薄膜是最有競爭潛力的下一代平板顯示技術之一。

　　五、六十年代 ,人們對電致發(fā)光器件的研究主要集中在粉末電致發(fā)光器件 (PELD)上。這種粉末狀態(tài)發(fā)光層對光線的散射造成的低對比度 ,以及因電極直接接觸發(fā)光層而使發(fā)光層的電流過大 ,導致器件易老化、易擊穿等缺點 ,電致發(fā)光的研究在60年代末期趨于停滯。電致發(fā)光研究的真正革命發(fā)生在 1974 年，日本 Sharp 公司的 T. Inoguchi 等人推出雙絕緣層結構的 TFE器件 ,該器件具有很好的穩(wěn)定性和壽命。單色 TFEL 器件的亮度可達 8000cd/cm ,壽命可達上萬小時。日本、美國和芬蘭等國已經用這種結構做出計算機顯示終端。為實現(xiàn) TFEL 器件的彩色化 ,90 年代初 ,徐敘 等人提出了分層優(yōu)化的器件結構。這對提高發(fā)光層中碰撞激發(fā)發(fā)光中心實現(xiàn)發(fā)光的電子能量、提高發(fā)光亮度和發(fā)光效率 ,以及解決“藍光問題”等都具有重要意義。近年來 ,各國的研究小組也在積極試制各種 TFEL 器件 ,摸索了一套 TFEL 器件的制備工藝 ,為實現(xiàn) TFEL 器件的產業(yè)化奠定了基礎。同時 ,也發(fā)現(xiàn)了一些新問題 ,為下一步材料、器件的研究提出了方向。

　　2、介紹TFEL 器件的結構和原理

　　傳統(tǒng)的 TFEL 器件采用夾層結構(如圖 1) ,即在兩絕緣層之間夾一個發(fā)光層 ,絕緣層外側為電極層 ,用于施加電壓 ,其中一個電極層為透明電極 ,使發(fā)光層的發(fā)光能夠透出。電致發(fā)光的物理過程可簡述如下(如圖 2)在電場作用下 ,發(fā)光層與絕緣層界面能級處束縛的電子隧穿發(fā)射至發(fā)光層 1;同時 ,發(fā)光層中雜質和缺陷也電離一部分電子 ,這些電子在電場作用下被加速 2 ;當其能量增到足夠大時 ,碰撞激發(fā)發(fā)光中心 ,從而實現(xiàn)發(fā)光 3 ;電子在穿過發(fā)光層后 ,被另一側的界面俘獲 4 。薄膜電致發(fā)光器件一般采用交流驅動 ,在交流驅動情況下 ,當外加電壓反轉時 ,上述 4 個過程重復進行 ,從而實現(xiàn)連續(xù)發(fā)光。夾層結構中的絕緣層被一系列的電子加速層所代替,就是我們所說的分層優(yōu)化結構。在這種結構中,從電極處發(fā)射的電子,在這些加速層中被多次加速,獲得了足夠高的能量,然后進入發(fā)光層,碰撞激發(fā)發(fā)光中心,實現(xiàn)發(fā)光。這種加速過程和發(fā)光過程的分離,使我們能夠獨立地對各層進行分層優(yōu)化。這無論是對電子能量、發(fā)光亮度,還是發(fā)光效率的提高都具有重要意義。

　　3、無機 TFEL 研究的一般方法

　　發(fā)光粉的制備:發(fā)光粉的典型制備方法是將所需的原材料 ,按一定的化學計量比混合均勻 ,壓片 ,將壓好的片在一定的溫度和氣氛下燒結 ,燒結溫度、環(huán)境氣氛、燒結時間的長短是應考慮的幾個因素。燒結過程除了通過有關的化學反應得到所需的基質材料外 ,還可使發(fā)光中心向基質材料中均勻擴散。通常制備硫化物基質材料時還需要補硫 ,這就需要在考慮硫含量的同時 ,還要注意污染問題。

　　4、TFEL 所面臨的主要問題

　　電致發(fā)光研究在得以迅速發(fā)展的同時 ,也并非總是一帆風順的 ,也存在一系列的問題。主要表現(xiàn)在以下幾個方面。

　　首先是器件的穩(wěn)定性不夠 ,有些材料在高場作用下內部離子發(fā)生遷移。其次是發(fā)光材料的穩(wěn)定性和附著性差。第三是薄膜電致發(fā)光的驅動電壓一般比較高 ,無法利用通常的集成電路 ,需要高壓集成電路。然而 ,與上述這些問題相比 ,更加嚴重的問題在于難于實現(xiàn)全色顯示。

　　TFEL 的發(fā)展方向就是實現(xiàn)全色顯示 ,而長期以來 ,難以得到亮度高、色純度好的藍色發(fā)光。在全色顯示所需的紅、藍、綠三基色中 ,紅色和綠色已經達到了實用化要求 ,而藍光的亮度則仍然不夠 ,這已成為實現(xiàn)全色化的最大障礙 ,即所說的“藍光問題”,成為實現(xiàn)全色化的瓶頸問題。另外 ,TFEL 器件還存在效 率不夠高、壽命不夠長、制備工藝不夠完善等問題。

　　5 提高藍光亮度的新探索

　　盡管 TFEL 顯示還存在種種問題 ,但人們對它的研究興趣卻絲毫未減。在對發(fā)光材料的研究過程中也取得一些進展 ,幾種常見的發(fā)光材料研究進展在表 1 中已經給出(表中的 CIE表示發(fā)光顏色的色坐標 ,下同)。

　　表1 幾種TEFL材料的研究進展

　　發(fā)光材料 發(fā)光顏色 CIE CIE 亮度發(fā)光效率 2(cd/m) (lm/W) x y (60Hz)

　　ZnS:Mn 黃色 0.50 0.50 300 3~6 CaS:Eu 紅色 0.68 0.31 12 0.2 ZnS:Mn/fliter 紅色 0.65 0.35 65 0.8 ZnS:Tb 綠色 0.30 0.60 100 0.6~1.3 ZnS:Mn/SrS:Ce 白色 0.44 0.48 470 1.5 藍光問題是阻礙 TFEL 器件實現(xiàn)全色化的最大障礙。為此 ,各國的科研小組圍繞著提高藍光亮度進行了大量投入 ,開展了多方面的科研工作 ,包括對器件結構的優(yōu)化、改善發(fā)光薄膜的結晶狀態(tài)、提高發(fā)光中心濃度、改善制備工藝、采用新的制備方法、尋找新的藍光材料等 ,這些努力都在不同程度上提高了TFEL 器件的藍光亮度 ,改善了器件性能。人們找到了一些性能較好的藍色電致發(fā)光材料比如：

　　①SrS∶Ce是人們最早發(fā)現(xiàn)的性能較好的藍色電致發(fā)光材料也是人們研究最多的藍光材料之一。盡管在近幾年的研究中人們又發(fā)現(xiàn)了一些性能較好的藍色發(fā)光材料 ,但是 SrS∶Ce 仍然被認為是最有前途藍光材料 。以 SrS∶Ce 作為發(fā)光體 ,在 60Hz時可獲得 100cd/m2 的藍綠光 ,經濾光片濾光后可得到全色顯示所需的藍光成份。但 SrS∶Ce 的發(fā)光也存在色純度差、SrS材料易潮解等問題 ,且 SrS∶Ce 薄膜中存在大量的硫空位 ,這些硫空位的大量存在將會導致發(fā)光的淬滅。高溫下的退火處理能夠提高 SrS的結晶質量 ,促進發(fā)光中心 Ce3+ 的形成。因此 ,退火處理被廣泛應用于 SrS∶Ce 的研究中。Kouto等人早在 1994 年就利用退火方法獲得了 1kHz 電壓驅動下發(fā)光亮度為800cd/ m發(fā)光效率為 0.42lm/ W的 SrS∶Ce薄膜電致發(fā)光器件 。最近日本的Taka 等將 SrS∶Ce 器件在 2 %H2S-98 %Ar 氣氛下的退火 ,可使其發(fā)光亮度達2000cd/m2以上 ,濾光后仍然能夠得到相當強的藍光 。這是因為 H2S種的 S填補了其中的 S空位 ,使其中的S空位減少的原因。

　?、贛Ga2S4∶Ce (M = Ca ,Sr ,Ba)

　　人們在研究硫代鎵酸鹽MGa2S4∶Ce (M = Ca ,Sr ,Ba)后發(fā)現(xiàn) ,Ce原子在其中的發(fā)光波長比在 SrS中短 ,色純度較好 ,且這種材料穩(wěn)定性好 ,不易潮解。Bénalloul 等人對硫代鎵酸鹽進行了較為詳細的研究 ,在藍光方面也取得了一些進展 ,結果如表2。硫代鎵酸鹽在實驗室條件下得到了60Hz時10cd/ m2 的發(fā)光亮度 ,峰值波長在 459nm。這種材料無論是亮度、穩(wěn)定性還是色坐標都基本達到了彩色化的要求。因此MGa2S4∶Ce (M = Ca ,Sr ,Ba) 是一種很有意義的藍色發(fā)光材料。其缺點是發(fā)光效低、發(fā)光材料難以制備、薄膜結晶狀態(tài)差等。 雖說以上這些材料有很好的發(fā)光特性，但都未達到產業(yè)化的要求。之后直到1999年N.Miura等采取雙源脈沖電子束蒸發(fā)法制備出在50Hz 交流驅動下亮度達65cd/m2的BaAl2S4:Eu TFEL器件南光薄膜才真正意義上得到應用。早在1974年，

　　P.C.Donohue和J.E.Hanlon采用Eu、 Yb、Ca、Sr、Ba、Ca等的硫化物在真空石英管中以碘為礦化劑合成了摻Eu2+發(fā)光中心的堿土硫代鋁酸鹽、堿土硫代鎵酸鹽、堿土硫代銦酸鹽，發(fā)現(xiàn)發(fā)光效率最高的是SrGa2S4:Eu中Eu2+激發(fā)態(tài)躍遷。以后有人發(fā)現(xiàn)了一系列的摻Eu的發(fā)光材料導致對高性能南光材料BaAl2S4:Eu的發(fā)現(xiàn)。為了提高BaAl2S4:Eu藍光薄膜的亮度、色純性以及降低退火溫度，人們引入其他元素部分取代BaAl2S4:Eu中Ba位、Al位、S位。經過研究發(fā)現(xiàn)用Mg取代部分Ba可以降低薄膜的退火溫度;在制備上采取雙源電子束蒸發(fā)一個源是BaS:Eu，另一個源是Al2S3，沉積過程中多數采用H2S補S，原則上也可采用其他含s的化合物補S;若采用混有元素 S 的四源電子束蒸發(fā)制備BaAl2S4:Eu薄膜并在含元素S的蒸發(fā)源附近設液氮冷阱以限制過量S和O2等其他有害物質沉積到薄膜，這樣可有效提高薄膜的亮度。但由于雙源脈沖或共蒸發(fā)沉積設備昂貴且難于實現(xiàn)大面積鍍膜，濺射法制備BaAl2S4:Eu薄膜近來被廣泛采用。這種BaAl2S4:Eu薄膜也是以后TFEL器件的主要材料。

　　6 TFEL 器件的前景展望

　　TFEL 顯示器是唯一全固化的平板顯示器 ,它具有主動發(fā)光、體積小、視角大、分辨率高、適應溫度寬、響應速度快和對比度高等優(yōu)點 ,而且比通常的薄膜晶體管 TFT 和液晶 LCD 的制備工序少 ,因此正以其獨特的優(yōu)勢迅速發(fā)展。單色顯示器已經商品化 ,彩色 TFEL 顯示器也已逐漸走向市場。因此 ,TFEL器件具有廣闊的發(fā)展前景。目前 ,藍光亮度雖已經達到了實用化的要求 ,但 TFEL 離全色顯示還有相當的一段路要走 ,今后仍需進一步在改進工藝、改善器件結構、降低成本、提高器件性能、使 TFEL 器件商品化等方面增大投入?？梢灶A計 ,一旦實現(xiàn)完全意義上的全色顯示 ,實現(xiàn) TFEL 彩色顯示器件的商品化 ,將會帶來顯示領域的革命 ,TFEL 器件將會占有相當的市場份額。

　　薄膜物理與技術論文篇二

　　AZO薄膜光電性能的研究

　　1.AZO薄膜的應用和發(fā)展及其主要性質

　　作為新型太陽能電池窗口層應用的AZO薄膜，是性質優(yōu)良的Ⅱ一Ⅵ族摻雜寬帶隙直接躍遷半導體材料，晶體結構為六角纖鋅礦，原料易得、廉價、無毒，性能穩(wěn)定，是最具開發(fā)潛力的新型功能材料之一。AZO薄膜還具有優(yōu)異的光電性能，如低電阻率及可見光范圍內的高透光率，被廣泛應用于光電透明導電薄膜、太陽能電池電極、磁光、 電光器件、壓電器件、新型發(fā)光材料、緩沖層等領域[1]。

　　作為微摻鋁的ZnO透明導電膜的研究工作最早開始于上世紀80年代初期，Chopra K.L等人最早報道了利用乙酸鋅和少量aic13的混合溶液熱噴涂的方法制備AZO薄膜[2]。國內近年來對AZO薄膜的制備工藝及性能研究也取得了一些顯著的成果。中科院金屬研究所的聞立時和江健等人在國內較早的開始對AZO薄膜的研究工作，探討了AZO薄膜制備過程中不同工藝參數對薄膜的組織結構和性能的影響[3]。清華大學的付恩剛和莊大明等人通過中頻交流磁控濺射法研究了制備工藝中薄膜厚度、襯底溫度以及氬分壓對薄膜的紅外反射性能的影響，對制備具有高紅外反射率AZO薄膜的工藝提供了參考和依據[4]。工程物理研究院的楊曉峰、李強等人對AZO靶材的制備工藝進行了研究[5]。中南大學的周宏明和易丹青等人研究了溶膠-凝膠法制備AZO薄膜過程中鋁摻雜量和退火溫度等工藝參數對薄膜的光電性能和微觀結構的影響，且制備的AZO薄膜電阻率為3.210Ω·cm，可見光波長范圍內平均透過率超過90%[6]。

　　2.制備方法、原理、制備優(yōu)勢及其儀器介紹

　　AZO薄膜的制備方法有很多種，如磁控濺射法、溶膠-凝膠法、電子束蒸發(fā)法、脈沖激光沉積法、分子束外延法、原子層沉積法等，本實驗設計采用磁控濺射的方法。

　　磁控濺射是指用高能粒子轟擊固體靶材表面，使得固體表面的原子和分子與入射的高能粒子交換動能，從而從固體表面飛濺出來的現(xiàn)象。濺射出來的原子或原子團由于與高能粒子交換了動能，因此具有一定的能量，可以重新凝聚，沉積在固體基片表面上形成薄膜。濺射法制備薄膜通常是利用氣體放電電離后產生的正離子在電場作用下高速轟擊陰極靶材，將陰極靶材的原子或分子擊出，濺射到被鍍基片表面沉積成薄膜。在實際應用中，一般在濺射中加入磁場，通過磁場來改變電子的運動方向，以此束縛和延長以提高了電子對工作氣體離化的幾率，使得轟擊靶材的高能離子增多和轟擊基片的高能電子減少，電子的能量可以有效的得到利用。相對其它制備薄膜的方法，磁控濺射法有很多優(yōu)勢，如可以低溫制備、沉積速率快、沉積過程和參數易于調節(jié)控制、襯底和薄膜的黏附性好，對靶材的幾何形狀沒有設計上的限制，鍍膜均勻性良好，幾乎所有金屬、合金和陶瓷材料都可以用來做靶材，適宜大規(guī)模生產等[7]。

　　磁控濺射主要有兩種，包括直流磁控濺射和射頻磁控濺射。直流濺射的放電需要依靠離子轟擊靶材產生的二次電子來維持，所以二次電子必須具有足夠的能量來離化濺射離子，這就需要在靶和襯底間加一個高電壓用來加速二次電子來增加它的能量。因而，直流濺射只能濺射良導體，而不能制備絕緣介質膜。射頻濺射-3

　　是在鍍膜裝置的兩極之間加上一個高頻電場，等離子體中的電子容易在射頻電場中吸收能量并在電場中振蕩，使得電子與氣體粒子的的碰撞幾率大大增加，從而提高氣體的電離幾率。射頻濺射中，等離子體內的電子和離子在高頻電場的作用下交替地向靶極移動，因此，射頻濺射可以沉積包括導體、半導體以及絕緣體在內的幾乎所有材料，并且由于其氣體的離化率很大，濺射可以在 0.1Pa 甚至更低的氣壓下進行[8]。

　　實驗所用的濺射鍍膜裝置的主要部分包括：a.真空系統(tǒng)：由真空室，進氣口，排氣口和抽氣系統(tǒng)(分子泵、機械泵)構成。其中電磁閥的作用是防止機械泵內的油回流。b.電源控制裝置：由進口的電源與電源匹配器組成。用來調節(jié)射頻功率。c.控制裝置：配備有測真空壓力的電阻規(guī)與電離規(guī)，可測真空度量級 10-5，另外還有流量控制器和襯底加熱裝置。d.濺射裝置：濺射裝置由載有襯底的運動小車和濺射靶材構成，其中靶基距固定為 75mm。下圖為AZO濺射腔室結構示意圖：

　　3.實驗條件及實驗步驟

　　在同一濺射壓強、濺射功率的條件下，研究不同的基底溫度對射頻磁控濺射制備AZO(厚度為500nm)薄膜的光電等性能的影響;濺射AZO靶材時，靶材和基片距離6cm，10分鐘預濺射，濺射壓強為0.25帕，

　　-44.010濺射功率130w，本底真空度帕，基底溫度分別為200、300、400攝氏度，氬氣流量為40sccm。

　　實驗前首先將基底用微波清洗酒精擦干凈后，準備好樣品放置在托盤上，將托盤放置在轉動盤上，然后密閉實驗儀器，打開磁控濺射電源和循環(huán)水，關閉進氣口與出氣口。啟動機械泵對真空室預抽真空，之后啟動分子泵閘板閥開至最大，使濺射腔室中本底真空度達到 10-4Pa數量級。打開進氣口閥門，打開Ar 氣瓶閥門，將氬氣流量調節(jié)為40sccm，通過調節(jié)閘板閥，使腔室內氣壓達到清洗氣壓，然后打開偏壓進行清洗。

　　待清洗完畢后，關閉偏壓，通過調節(jié)閘板閥的位置調節(jié)濺射真空室中的工作氣壓。然后打開襯底加熱開關，將襯底加熱到所需要的基底溫度，同時開啟射頻電源，調節(jié)濺射功率，啟動濺射程序，觀察有輝光出現(xiàn)后，將靶材預濺射 10min。預濺射完成后，靶材表面的雜質會被打掉，系統(tǒng)起輝達到穩(wěn)定。調節(jié)濺射功率至實驗所設定的數值，待基底溫度加到所需要的溫度后，稍加偏壓，開始濺射。濺射過程中要注意觀察射頻電源的反射功率是否變化過大、電流電壓以及濺射氣壓是否穩(wěn)定等。濺射結束后，先關閉射頻電源、偏壓、進氣口以及加熱開關，將閘板閥開到最大，關閉氣體流量控制閥和Ar氣瓶閥門，待基底溫度降低到50攝氏度時，可關閉加熱電源、電磁閥分子泵及機械泵，最后關閉總電源和冷卻水，待腔室內溫度達到室溫后，可從腔室內取出樣品，檢測相關性能。檢測完成后，可取制備出的薄膜樣品性能最好的一組，進行時效處理，即熱處理，研究不同退火溫度對薄膜的光電性能的影響。

　　4.薄膜的性能表征及其原理和儀器

　　采用紫外—可見分光光度計測量樣品可見光范圍內的光透過率。用UV—3600型雙光束紫外一可見分光光度計對玻璃基底的樣品進行了透過率的分析測量，測量范圍為200～900nm。該設備有兩個同樣的長方形支架，一個放測試樣品，另一個放參考空白玻璃襯底以采集臨時基線。光作用到材料表面會發(fā)生反射和折射現(xiàn)象,光在材料內部傳播時會被吸收,要想知道了材料的折射率和吸收系數,可以根據光照射到材料上的透、反射率和吸收率來計算得到。所有的變化在下圖都有標出,入射光強是IO,反射光強是IOR,反射系數由菲dI-I涅爾公式與界面兩邊的材料的折射率來求，材料內部的光按規(guī)律dx吸收，透射光強為2-xI(eo1-R)，所以知道了光的反射和透射后就可以計算得到薄膜的折射率以及吸收系數[9]。

　　采用四探針電阻測試儀測量樣品的方塊電阻。本實驗測量采用的是廣州半導體材料研究所的SDY一5型的雙電測四探針測試儀。該儀器采用了四探針雙電位組合測量技術,將范德堡測量方法應用到直線四探針上。利用電壓探針和電流探針的組合變換,進行兩次電測量,其計算結果能自動消除由樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素引起的對測量結果不利的影響。氧化物半導體薄膜的導電性用電導率來表示,電導率正比于載流子濃度和遷移率的乘積,即eneee,式中ne為載流子濃度,e為電子遷移率,e為電子電荷，遷移率定義為單位電場強度下的漂移速度,它反映薄膜的內部性質,通常用電阻率來表征:1Rte，其中R和t分別為薄膜表面方塊電阻和薄膜的厚度，通常測透明導電薄膜的方塊電阻采用四探針法測量，其原理如下圖所示：

　　四個探針平行，彼此距離相同都為1mm,測量時在探針1、4間施加一直流電壓,針1在膜中產生的電場E是以該針為中心,在膜一平面內輻射場距針1為s的場強為:2sjI2rt，此電場在2、3間產生的電位V23差為：IIln22xt2tss，式中I為通過針1的電流強度。同理,把針4視為負場源,它在針2、V'233間產生的電位差為：IIln22xt2t2sR，故方塊電阻tVln2I，因此測出探針2、

　　3之間電壓V和流過探針1的電流I就可以求出方塊電阻R。

　　采用霍爾系數測量儀測量薄膜的載流子濃度及霍爾遷移率?；魻枩y量是測試薄膜電學性能最常用的方法,在己知薄膜厚度的前提下,通過霍爾測量可以給出薄膜的導電類型、電阻率、載流子濃度和霍爾遷移率,根據霍爾測量的結果可以對薄膜的電學性能進行詳細的分析，并且通過不同溫度下的霍爾測量,可以對載流子的散射機制進行分析?；驹硎抢没魻栃褐竿ㄟ^電流的半導體在垂直電流方向的磁場作用下，在與電流和磁場垂直的方向上形成電荷積累和出現(xiàn)電勢差的現(xiàn)象。本實驗采用的霍爾系數測量儀中的霍爾測量電路如下圖，其中A是恒流源,V是高、低電位差計及檢流計系統(tǒng)或數字電壓表。根據霍爾測量的這些結果，可以詳細的對薄膜的電學性能進行分析。

　　5.其它透明導電薄膜及其制備方式和應用領域

　　除了半導體薄膜中的AZO透明導電薄膜外，目前的透明導電薄膜還主要有金屬膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、復合膜系等。金屬膜系導電性能好，但是透明率差。半導體薄膜系列剛好相反，導電性差，透明率高。當前研究和應用最為廣泛的是金屬膜系和氧化物膜系。透明導電薄膜主要用于光電器件(如LED、薄膜太陽能電池等)的窗口材料。1907年Badeker首先報道了 Cd 膜在輝光放電室沉積氧化后的透明導電現(xiàn)象，也有文獻報道 Cd的氧化物的透明導電性是在1951年首次報道的。5年后相繼有其它寬帶氧化物半導體的透明導電性能報告,并將其用于 heated windows(窗體致熱)。類似于AZO的氧化物薄膜還有GZO薄膜，此外，最常見的透明導電薄膜為ITO(錫摻雜三氧化銦)，主要采用磁控濺射法、溶膠-凝膠法、真空蒸發(fā)法、噴霧熱分解法、化學氣相沉積法等來制備，ITO薄膜具有透光性好、電阻率低、易刻蝕和易低溫制備等優(yōu)點，主要應用于液晶電視、 建筑用節(jié)能視窗、太陽能電池、 轎車風擋等方面。

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