雙通道內(nèi)存相關(guān)介紹

　　相信很多人對雙通道內(nèi)存這個(gè)概念并不了解，雙通道內(nèi)存是什么?雙通道內(nèi)存有什么好處?這里學(xué)習(xí)啦小編給大家介紹下，一起來看看。

　　雙通道內(nèi)存相關(guān)介紹

　　雙通道內(nèi)存是什么?

　　雙通道內(nèi)存是一種能夠讓電腦性能提升的技術(shù)，說白了是兩者內(nèi)存由串聯(lián)方式改良為并聯(lián)方式，以得到更大的內(nèi)存帶寬，從而提升內(nèi)存速度。

　　使用單通道技術(shù)時(shí)，主板上多條內(nèi)存是以串聯(lián)方式運(yùn)作，也就是僅是當(dāng)作一條內(nèi)存運(yùn)作，只是容量會(huì)相加。內(nèi)存總線寬度為64-bit，無論安裝幾條內(nèi)存，帶寬都固定為64-bit。

　　雙通道內(nèi)存有什么好處?

　　雙通道內(nèi)存利用并聯(lián)方式工作，當(dāng)成對安裝兩條內(nèi)存時(shí)，總線寬度將會(huì)達(dá)到128-bit，帶寬翻倍性能也會(huì)增加，性能一般可以提升5%-10%。

　　值得一提的是，雙通道內(nèi)存對獨(dú)顯電腦性能提升不是很大，而對于一些核顯或者APU電腦，性能提升會(huì)比較明顯，尤其是核顯APU電腦，很多朋友都熱衷選擇2根4GB內(nèi)存組建8GB雙通道，而不是直接上單條8GB內(nèi)存，這就是雙通內(nèi)存更有利于提升APU性能的一個(gè)運(yùn)用。

　　注意事項(xiàng)

　　1、必須同代

　　理論上，雙通內(nèi)存沒有品牌要求，沒有容量對等要求，但必須是同代內(nèi)存，也就是如果用的是DDR4內(nèi)存，兩條都必須是DDR4，不能DDR3和DDR4混用，否則不兼容。另外，最好是同品牌內(nèi)存，不同品牌內(nèi)存也可能出現(xiàn)不兼容。

　　2、雙通道內(nèi)存超頻困難

　　由于雙通道內(nèi)存架構(gòu)原因，其超頻比較困難，對于喜歡DIY超頻用戶，有一定限制。

　　以上就是雙通道內(nèi)存的好處與安裝方法，總的來說，雙通道內(nèi)存對電腦性能提升有所幫助，不過主要是針對核顯或者APU電腦優(yōu)勢比較明顯，而如今大內(nèi)存獨(dú)顯時(shí)代，雙通道內(nèi)存與單通道內(nèi)存差異極小，因此目前大多數(shù)裝機(jī)用戶，選擇雙通道的其實(shí)也并不算多。

　　總的來說，論性能，雙通道內(nèi)存更有優(yōu)勢，而論性價(jià)比和穩(wěn)定性，單通道內(nèi)存更有優(yōu)勢，尤其是大內(nèi)存時(shí)代，內(nèi)存已經(jīng)不是瓶頸，一般單通道內(nèi)存就夠了，除非是核顯或者APU平臺(tái)，一般單/雙通道差異不大，用戶可以按照自己喜歡的選擇即可。

　　關(guān)于雙通道內(nèi)存

　　雙通道，就是在北橋(又稱之為MCH)芯片級里設(shè)計(jì)兩個(gè)內(nèi)存控制器，這兩個(gè)內(nèi)存控制器可相互獨(dú)立工作，每個(gè)控制器控制一個(gè)內(nèi)存通道。在這兩個(gè)內(nèi)存通CPU可分別尋址、讀取數(shù)據(jù)，從而使內(nèi)存的帶寬增加一倍，數(shù)據(jù)存取速度也相應(yīng)增加一倍(理論上)。

　　目前流行的雙通道內(nèi)存構(gòu)架是由兩個(gè)64bit DDR內(nèi)存控制器構(gòu)筑而成的，其帶寬可達(dá)128bit。因?yàn)殡p通道體系的兩個(gè)內(nèi)存控制器是獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器，因此二者能實(shí)現(xiàn)彼此間零等待時(shí)間，同時(shí)運(yùn)作。兩個(gè)內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可讓有效等待時(shí)間縮減50%，從而使內(nèi)存的帶寬翻倍。 雖然這項(xiàng)新規(guī)格主要是芯片組與主機(jī)板端的變化，然而雙通道存在的目的，也是為了解決內(nèi)存頻寬的問題，使主機(jī)板在即使只使用DDR400內(nèi)存的情況下，也可以達(dá)到頻寬6.4GB/s。雙通道是一種主板芯片組(Athlon 64集成于CPU中)所采用新技術(shù)，與內(nèi)存本身無關(guān)，任何DDR內(nèi)存都可工作在支持雙通道技術(shù)的主板上。

　　工作原理

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù)，它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用，在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長一倍。它并不是什么新技術(shù)，早就被應(yīng)用于服務(wù)器和工作站系統(tǒng)中了，只是為了解決臺(tái)式機(jī)日益窘迫的內(nèi)存帶寬瓶頸問題它才走到了臺(tái)式機(jī)主板技術(shù)的前臺(tái)。在幾年前，英特爾公司曾經(jīng)推出了支持雙通道內(nèi)存?zhèn)鬏敿夹g(shù)的i820芯片組，它與RDRAM內(nèi)存構(gòu)成了一對黃金搭檔，所發(fā)揮出來的卓絕性能使其一時(shí)成為市場的最大亮點(diǎn)，但生產(chǎn)成本過高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況，最后被市場所淘汰。由于英特爾已經(jīng)放棄了對RDRAM的支持，所以目前主流芯片組的雙通道內(nèi)存技術(shù)均是指雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)

　　內(nèi)存技術(shù)

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)是解決CPU總線帶寬與內(nèi)存帶寬的矛盾的低價(jià)、高性能的方案?，F(xiàn)在CPU的FSB(前端總線頻率)越來越高，英特爾 Pentium 4比AMD Athlon XP對內(nèi)存帶寬具有高得多的需求。英特爾 Pentium 4處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸采用QDR(Quad Data Rate，四次數(shù)據(jù)傳輸)技術(shù)，其FSB是外頻的4倍。英特爾 Pentium 4的FSB分別是400、533、800MHz，總線帶寬分別是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在單通道內(nèi)存模式下，DDR內(nèi)存無法提供CPU所需要的數(shù)據(jù)帶寬從而成為系統(tǒng)的性能瓶頸。而在雙通道內(nèi)存模式下，雙通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在這里可以看到，雙通道DDR 400內(nèi)存剛好可以滿足800MHz FSB Pentium 4處理器的帶寬需求。而對AMD Athlon XP平臺(tái)而言，其處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)采用DDR(Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)傳輸)技術(shù)，F(xiàn)SB是外頻的2倍，其對內(nèi)存帶寬的需求遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于英特爾 Pentium 4平臺(tái)，其FSB分別為266、333、400MHz，總線帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用單通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能滿足其帶寬需求，所以在AMD K7平臺(tái)上使用雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)，可說是收效不多，性能提高并不如英特爾平臺(tái)那樣明顯，對性能影響最明顯的還是采用集成顯示芯片的整合型主板。

　　內(nèi)存擴(kuò)展

　　NVIDIA推出的nForce芯片組是第一個(gè)把DDR內(nèi)存接口擴(kuò)展為128-bit的芯片組，隨后英特爾在它的E7500服務(wù)器主板芯片組上也使用了這種雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)，SiS和VIA也紛紛響應(yīng)，積極研發(fā)這項(xiàng)可使DDR內(nèi)存帶寬成倍增長的技術(shù)。但是，由于種種原因，要實(shí)現(xiàn)這種雙通道DDR(128 bit的并行內(nèi)存接口)傳輸對于眾多芯片組廠商來說絕非易事。DDR SDRAM內(nèi)存和RDRAM內(nèi)存完全不同，后者有著高延時(shí)的特性并且為串行傳輸方式，這些特性決定了設(shè)計(jì)一款支持雙通道RDRAM內(nèi)存芯片組的難度和成本都不算太高。但DDR SDRAM內(nèi)存卻有著自身局限性，它本身是低延時(shí)特性的，采用的是并行傳輸模式，還有最重要的一點(diǎn)：當(dāng)DDR SDRAM工作頻率高于400MHz時(shí)，其信號波形往往會(huì)出現(xiàn)失真問題，這些都為設(shè)計(jì)一款支持雙通道DDR內(nèi)存系統(tǒng)的芯片組帶來不小的難度，芯片組的制造成本也會(huì)相應(yīng)地提高，這些因素都制約著這項(xiàng)內(nèi)存控制技術(shù)的發(fā)展。

　　內(nèi)存控制

　　普通的單通道內(nèi)存系統(tǒng)具有一個(gè)64位的內(nèi)存控制器，而雙通道內(nèi)存系統(tǒng)則有2個(gè)64位的內(nèi)存控制器，在雙通道模式下具有128bit的內(nèi)存位寬，從而在理論上把內(nèi)存帶寬提高一倍。雖然雙64位內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個(gè)128位內(nèi)存體系所提供的帶寬，但是二者所達(dá)到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個(gè)獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器，理論上來說，兩個(gè)內(nèi)存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時(shí)運(yùn)作。比如說兩個(gè)內(nèi)存控制器，一個(gè)為A、另一個(gè)為B。當(dāng)控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存的時(shí)候，控制器A就在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個(gè)內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可以讓等待時(shí)間縮減50%。雙通道DDR的兩個(gè)內(nèi)存控制器在功能上是完全一樣的，并且兩個(gè)控制器的時(shí)序參數(shù)都是可以單獨(dú)編程設(shè)定的。這樣的靈活性可以讓用戶使用二條不同構(gòu)造、容量、速度的DIMM內(nèi)存條，此時(shí)雙通道DDR簡單地調(diào)整到最低的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來實(shí)現(xiàn)128bit帶寬，允許不同密度/等待時(shí)間特性的DIMM內(nèi)存條可以可靠地共同運(yùn)作。

　　臺(tái)式芯片

　　支持雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)的臺(tái)式機(jī)芯片組，英特爾平臺(tái)方面有英特爾的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列;VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX;AMD平臺(tái)方面則有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。在雙通道流行的今天，MCP73居然不支持。當(dāng)然，考慮到設(shè)計(jì)Intel平臺(tái)芯片組時(shí)必須加入內(nèi)存控制器，再加上MCP73是單芯片設(shè)計(jì)，能夠做到如此高的集成度實(shí)屬不易，畢竟是針對低端整合市場的芯片組產(chǎn)品，也無須對MCP73Series不支持雙通道這一點(diǎn)過分苛求。而且當(dāng)前單通道DDR2800所提供的帶寬也已經(jīng)可以滿意處理器的需要。MCP73最多支持2組DIMM，最高可支持8GB系統(tǒng)內(nèi)存，不過有別于Intel芯片組設(shè)計(jì)，MCP73內(nèi)存控制器并不會(huì)和FSB速度同步，因此使用任何速度的FSB處理器，均能支持DDR2-800頻率，這在一定程度上彌補(bǔ)了不支持雙通道DDR2的不足。

　　AMD

　　AMD的64位CPU，由于集成了內(nèi)存控制器，因此是否支持內(nèi)存雙通道看CPU就可以。目前AMD的臺(tái)式機(jī)CPU，只有938接口的才支持內(nèi)存雙通道，754接口的不支持內(nèi)存雙通道。除了AMD的64位CPU，其他計(jì)算機(jī)是否可以支持內(nèi)存雙通道主要取決于主板芯片組，支持雙通道的芯片組上邊有描述，也可以查看主板芯片組資料。此外有些芯片組在理論上支持不同容量的內(nèi)存條實(shí)現(xiàn)雙通道，不過實(shí)際還是建議盡量使用參數(shù)一致的兩條內(nèi)存條。

　　安裝要求

　　內(nèi)存雙通道一般要求按主板上內(nèi)存插槽的顏色成對使用，此外有些主板還要在BIOS做一下設(shè)置，一般主板說明書會(huì)有說明。當(dāng)系統(tǒng)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)雙通道后，有些主板在開機(jī)自檢時(shí)會(huì)有提示，可以仔細(xì)看看。由于自檢速度比較快，所以可能看不到。因此可以用一些軟件查看，很多軟件都可以檢查，比如cpu-z，比較小巧。在“memory”這一項(xiàng)中有“channels”項(xiàng)目，如果這里顯示“Dual”這樣的字，就表示已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了雙通道。兩條256M的內(nèi)存構(gòu)成雙通道效果會(huì)比一條512M的內(nèi)存效果好，因?yàn)橐粭l內(nèi)存無法構(gòu)成雙通道。

　　過去內(nèi)存模塊在頻寬與數(shù)據(jù)傳輸速度方面的進(jìn)展，始終與中央處理器保持一定程度的落差，而隨著中央處理器的運(yùn)算速度越來越快，在理想的狀況下必須同時(shí)提升前端總線(Front Side Bus) 以及內(nèi)存總線 (Memory Bus) 的速度，以便讓計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能夠表現(xiàn)出原先預(yù)期的效能，然而以單信道的內(nèi)存速度以及總線的傳輸頻寬，仍是無法應(yīng)付中央處理器及前端總線的需求。

　　隨著Intel將前端總線外頻提升至800MHz ，中央處理器與北橋芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸頻寬將提升至6.4GB/s，而此一頻寬不論是使用DDR266或是DDR333的內(nèi)存模塊，都不足以應(yīng)付，必須同時(shí)搭配雙通道 (Dual Channel)的DDR400內(nèi)存規(guī)格才能達(dá)到6.4GB/s，以符合FSB800對頻寬的需求。

　　規(guī)則:

　　要實(shí)現(xiàn)雙通道模式, 必須滿足以下條件:

　　在每個(gè)通道 DIMM 配置匹配

　　匹配在對稱內(nèi)存插槽

　　如果配置不滿足上述條件恢復(fù)為單通道模式。 以下情況不需要滿足:

　　品牌相同

　　計(jì)時(shí)規(guī)格相同

　　相同的速度 (MHz)

　　DIMM 模塊中組裝的速度最慢系統(tǒng)決定內(nèi)存通道速度。